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參數資料
型號: FDN306P
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數: 5/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
產品培訓模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產品變化通告: Wire Bonding Change 07/Nov/2008
Mold Compound Change 08/April/2008
產品目錄繪圖: SuperSOT-3, SOT-23
標準包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2.6A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫歐 @ 2.6A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1138pF @ 6V
功率 - 最大: 460mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝: 3-SSOT
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1602 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDN306PDKR
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