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參數(shù)資料
型號(hào): FDN306P
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告: Wire Bonding Change 07/Nov/2008
Mold Compound Change 08/April/2008
產(chǎn)品目錄繪圖: SuperSOT-3, SOT-23
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫歐 @ 2.6A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1138pF @ 6V
功率 - 最大: 460mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 3-SSOT
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1602 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDN306PDKR
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