| 型號(hào)： | FDN306P |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品變化通告： | Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 12V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫歐 @ 2.6A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1138pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 3-SSOT |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | FDN306PDKR |