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參數資料
| 型號： | FDN336PD87Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | FDN336PD87Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6612AL86Z | 8400 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| FDS6612AD84Z | 8400 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| FDS6930AD84Z | 5500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| FDS9412S62Z | 7900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| FDS9412D84Z | 7900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDN336P-NL | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:PowerTrench® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| FDN337N | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN337N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| FDN337N_G | 制造商:Fairchild 功能描述:30V/20A MOSFET SOT-3 (Halogen free) |
| FDN337N_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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