| 型號： |
FDN352AP |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數： |
3/5頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 |
| 產品培訓模塊： |
High Voltage Switches for Power Processing
|
| 產品變化通告： |
Mold Compound Change 08/April/2008
|
| 產品目錄繪圖： |
SuperSOT-3, SOT-23
|
| 標準包裝： |
1 |
| 系列： |
PowerTrench® |
| FET 型： |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點： |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
30V
|
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： |
1.3A
|
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
180 毫歐 @ 1.3A，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
1.9nC @ 4.5V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
150pF @ 15V
|
| 功率 - 最大： |
460mW
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
|
| 供應商設備封裝： |
3-SSOT
|
| 包裝： |
標準包裝 |
| 產品目錄頁面： |
1602 (CN2011-ZH PDF)
|
| 其它名稱： |
FDN352APDKR
|