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參數(shù)資料
型號(hào): FDN359BN
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.7A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 46 毫歐 @ 2.7A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 7nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 650pF @ 15V
功率 - 最大: 460mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 3-SSOT
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: FDN359BNFSDKR
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