欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FDN361BN
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
中文描述: 1400 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數: 4/5頁
文件大?。?/td> 103K
代理商: FDN361BN
FDN361BN Rev A(W)
www.fairchildsemi.com
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
=1.4A
V
DS
= 10V
15V
20V
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 270
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
1
2
3
4
5
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 270°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 270
o
C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
M
相關PDF資料
PDF描述
FDN361 N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
FDN361AN N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
FDN371N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDN372S 30V N-Channel PowerTrench剖 SyncFET
FDN5618 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FDN363N 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDN371N 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN372S 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN372S_F095 制造商:Fairchild 功能描述:30V/16V, 40/50MO, NCH, SYNCFET
FDN372S_Q 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 凌云县| 白朗县| 土默特左旗| 东丰县| 河北区| 连南| 大宁县| 扶余县| 龙陵县| 河池市| 宁河县| 河南省| 津南区| 桐庐县| 永平县| 沧州市| 马山县| 个旧市| 辽中县| 克东县| 内黄县| 信阳市| 城固县| 新河县| 龙岩市| 商丘市| 铜鼓县| 日照市| 巧家县| 象州县| 沙洋县| 苍梧县| 乐陵市| 遂平县| 玉田县| 陆河县| 大同县| 瑞丽市| 开化县| 大方县| 大冶市|