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參數(shù)資料
型號(hào): FDP050AN06A0
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 12/13頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET TO-220AB
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 400
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 80A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 毫歐 @ 80A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3900pF @ 25V
功率 - 最大: 245W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220AB
包裝: 散裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1605 (CN2011-ZH PDF)
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