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參數資料
型號: FDP12N60NZ
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數: 7/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
標準包裝: 50
系列: UniFET-II™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 650 毫歐 @ 6A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1676pF @ 25V
功率 - 最大: 240W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3 整包
供應商設備封裝: TO-220
包裝: 管件
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