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參數資料
| 型號： | FDS2570 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 4 A, 150 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | FDS2570 |
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS2572 | 150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFET |
| FDS2582 | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| FDS2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2672 | N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 3.9A, 70mз |
| FDS2734 | N-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mohm |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS2570 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS2570_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2572 | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS2572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2572_Q | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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