| 型號(hào)： | FDS2582 |
| 廠(chǎng)商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/11頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品變化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 150V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫歐 @ 4.1A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1290pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOICN |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱(chēng)： | FDS2582DKR |