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參數資料
型號: FDS2670
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數: 4/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 3A SO-8
產品培訓模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產品變化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
產品目錄繪圖: Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
標準包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 3A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 130 毫歐 @ 3A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1228pF @ 100V
功率 - 最大: 1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: SO-8
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1604 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDS2670DKR
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