- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375781 > FDS3572 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel PowerTrench MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDS3572 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 8.9 A, 80 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 3/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 628K |
| 代理商： | FDS3572 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS3572 Rev. A
F
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
2
4
6
8
10
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
R
θ
JA
=50
o
C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
R
θ
JA
=50
o
C/W
10
100
1000
5
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
V
GS
= 10V
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
A
125
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS3580 | CAP CER 33000PF 630V X7R 1210 |
| FDS3590 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3601 | CAP CER 15000PF 1KV 10% X7R 1210 |
| FDS3612 | 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3670 | RECTIFIER STANDARD SINGLE 1A 100V 100 30A-ifsm 5uA-ir 1V-vf DO-41 1K/BULK |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS3572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 80V 8.9A SOIC |
| FDS3572_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDS3572_Q | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS3580 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS3580_00 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。