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參數資料
| 型號： | FDS6630 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | N溝道MOSFET的邏輯電平PowerTrenchTM |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 197K |
| 代理商： | FDS6630 |
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6630A | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6644 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6670AS | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6670AS_NL | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6670A | Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS6630A | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6630A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS6644 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS66630A | 制造商:Fairchild 功能描述:30V, SINGLE, SO-8 |
| FDS6670A | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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