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參數(shù)資料
型號(hào): FDS6690AS_NL
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
中文描述: 10000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: LEAD FREE, SO-8
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大小: 203K
代理商: FDS6690AS_NL
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS6692 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6694 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFET
FDS6699S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6812 Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6812A Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDS6690S 功能描述:MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6690S 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8
FDS6692 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6692A 功能描述:MOSFET 30V 9A 11.5 OHM NCH POWER TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6692A_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 9A, 11.5m??
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