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參數資料
| 型號： | FDS6814 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET |
| 中文描述： | 8 A, 20 V, 0.02 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | FDS6814 |
Electrical Characteristics
T
A
=25
o
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
I
GSSF
Gate-Body Leakage, Forward
I
GSSR
Gate-Body Leakage, Reverse
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 12 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -12 V, V
DS
= 0 V
20
V
μ
A
nA
nA
1
100
-100
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
V
GS(TH)
Gate Threshold Voltage
R
DS(ON)
Static Drain-Source
On-Resistance
I
D(ON)
On-State Drain Current
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 8 A
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 6.5 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5.0 V
0.6
1.5
0.02
0.03
V
25
A
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
I
S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
V
SD
Drain-Source Diode Forward
Voltage
1.3
1.2
A
V
V
GS
= 0 V, I
S
= 1.3 A
(Note 2)
θ
θ
θ
!!"
≤
#$$
μ
%&'
≤
($)
*+,
°
'-"
$.
(
*(.
°
'-"
$$(
(
*#.
°
'-"
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6815 | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDS6875 | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6890A | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6892AZ | Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| FDS6892 | Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS6815 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDS6875 | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6875 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SO-8 |
| FDS6890A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6890A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
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