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參數資料
| 型號： | FDS6900AS_NL |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual N-Ch PowerTrench SyncFET |
| 中文描述： | 8200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, SO-8 |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | FDS6900AS_NL |
FDS6900AS Rev
B
(X)
Typical Characteristics
V
DS
L
Figure 26. Unclamped Inductive Load Test
Circuit
Drain Current
Figure 27. Unclamped Inductive
Waveforms
Figure 31. Switching Time Waveforms
R
GE
DUT
V
GS
I
AS
0.01
V
DD
+
-
tp
0V
vary t
to obtain
required peak I
AS
V
GS
t
AV
t
P
I
AS
V
DS
V
DD
BV
DSS
Figure 30. Switching Time Test
Circuit
V
DS
R
L
R
GEN
DUT
V
DD
V
GS
Pulse Width
≤
1
μ
s
Duty Cycle
≤
0.1
%
V
GS
+
-
t
r
t
f
t
d(ON)
t
d(OFF
)
t
ON
t
OFF
Pulse Width
10%
10%
90%
10%
90%
50%
90%
50%
0V
0V
V
GS
V
DS
Figure 28. Gate Charge Test Circuit
Figure 29. Gate Charge Waveform
V
GS
Q
GS
Q
GD
Q
G(TOT)
10V
Charge, (nC)
DUT
V
DD
V
GS
I
g(REF
+
-
+
-
Same type as
1
μ
F
10
μ
F
10V
50k
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6900S | Dual N-Ch PowerTrench SyncFet⑩ |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDS6910 | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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