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參數資料
| 型號： | FDS8333C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs |
| 中文描述： | 4.1 A, 30 V, 0.08 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | FDS8333C |
FDS8333C Rev C (W)
Typical Characteristics: N-Channel
(continued)
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 4.1A
V
DS
= 5V
15V
10V
0
100
200
300
400
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8433 | Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET |
| FDS8433A | Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET |
| FDS8670 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8870 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8870_NL | N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS8333C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS8333C_Q | 功能描述:MOSFET N & PCh PowerTrench 3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS8433 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET |
| FDS8433A | 功能描述:MOSFET SO-8 SGL P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS8433A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
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