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參數(shù)資料
型號(hào): FDS8858CZ
廠(chǎng)商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 4/10頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
產(chǎn)品目錄繪圖: Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8.6A,7.3A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17 毫歐 @ 8.6A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1205pF @ 15V
功率 - 最大: 900mW
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SO-8
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1604 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱(chēng): FDS8858CZDKR
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