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參數資料
型號: FDS8884
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數: 4/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
產品變化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
標準包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 8.5A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 23 毫歐 @ 8.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 635pF @ 15V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDS8884DKR
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