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參數資料
型號: FDS8935
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數: 5/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 80V 2.1A 8SOIC
標準包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 80V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2.1A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 183 毫歐 @ 2.1A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 879pF @ 40V
功率 - 最大: 1.6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOIC
包裝: 標準包裝
其它名稱: FDS8935DKR
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