欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FDS8936A
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: 6 A, 30 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: SOIC-8
文件頁數: 4/4頁
文件大小: 229K
代理商: FDS8936A
FDS8936A Rev.B
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 6A
D
V = 5V
10V
20V
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
30
50
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
30
50
I
D
RDS(ON) LIMIT
A
T = 25°C
DC
1s
10s
100ms
10ms
1ms
V =10V
SINGLE PULSE
R = 135 °C/W
JA
GS
100us
0.01
0.1
0.5
1
10
50 100
300
0
5
10
15
20
25
30
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =135° C/W
T = 25°C
θ
JA
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
100
200
400
800
1200
2000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R =
135
°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c. Transient
thermal response will change depending on the circuit board design.
相關PDF資料
PDF描述
FDS8947A Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8958A Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8958 Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS8960C Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS8962C Dual N & P-Channel Power Trench
相關代理商/技術參數
參數描述
FDS8936S 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8947A 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS8949 功能描述:MOSFET 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS8949 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor
FDS8949_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrench? MOSFET
主站蜘蛛池模板: 蒙城县| 黎川县| 台南县| 岳普湖县| 舞阳县| 三亚市| 武城县| 中山市| 永新县| 高密市| 凌海市| 阿勒泰市| 滨州市| 无极县| 宜都市| 泰宁县| 台湾省| 蚌埠市| 景洪市| 土默特左旗| 鹰潭市| 荣成市| 共和县| 吐鲁番市| 克什克腾旗| 长治市| 巴林右旗| 新田县| 乳山市| 辉县市| 磐石市| 缙云县| 新昌县| 聊城市| 鄂尔多斯市| 衡水市| 昌都县| 枝江市| 吕梁市| 西充县| 牡丹江市|