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參數(shù)資料
型號(hào): FDS8949
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 4/6頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL 40V 6A 8-SOIC
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 29 毫歐 @ 6A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 955pF @ 20V
功率 - 最大: 900mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDS8949DKR
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