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參數(shù)資料
型號: FDS8958B
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 4/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC
產(chǎn)品目錄繪圖: Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
標準包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6.4A,4.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 26 毫歐 @ 6.4A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 540pF @ 15V
功率 - 最大: 900mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDS8958BDKR
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