| 型號： | FDS8962C |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品變化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫歐 @ 7A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 575pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOICN |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | FDS8962CDKR |