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參數資料
| 型號： | FDT434P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 6 A, 20 V, 0.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | FDT434P |
SOT-223 (FS PKG Code 47)
SOT-223 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Part Weight per unit (gram): 0.1246
September 1999, Rev. C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDT439N | N-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor |
| FDT457N | CAP CER 2.2UF 16V 20% X7R 1210 |
| FDT458P | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDT459N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDT461N | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDT434P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDT434P_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench??? MOSFET |
| FDT434P_Q | 功能描述:MOSFET SOT-223 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDT439N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDT439N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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