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參數(shù)資料
型號: FDT434P
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET SOT-223 Pkg
標準包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 50 毫歐 @ 6A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1187pF @ 10V
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-223-3
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1604 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDT434PDKR
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