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參數資料
型號: FDT439N
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor
中文描述: 6.3 A, 30 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數: 4/8頁
文件大小: 289K
代理商: FDT439N
56
'
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/
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = 110
°
C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
1s100ms
10s
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 110
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 6.3A
V
DS
= 5V
10V
15V
0
300
600
900
1200
1500
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0
0.0001
40
80
120
160
200
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 110
o
C/W
T
A
= 25
o
C
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