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參數(shù)資料
型號: FDT86113LZ
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223
標準包裝: 4,000
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫歐 @ 3.3A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6.8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 315pF @ 50V
功率 - 最大: 2.2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-223
包裝: 帶卷 (TR)
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