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參數(shù)資料
型號: FDU6612A
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
產(chǎn)品變化通告: Product Discontinuation 28/May/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1,800
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫歐 @ 9.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 9.4nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 660pF @ 15V
功率 - 最大: 1.3W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I-Pak
包裝: 管件
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