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參數資料
型號: FDV302P_NB8V001
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 25V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 120mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 歐姆 @ 200mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 11pF @ 10V
功率 - 最大: 350mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝: SOT-23
包裝: 標準包裝
其它名稱: FDV302P_NB8V001DKR
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