| 型號： | FDV302P |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 |
| 產品培訓模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產品變化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 產品目錄繪圖： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 25V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 120mA |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 歐姆 @ 200mA，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 0.31nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 11pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應商設備封裝： | SOT-23 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產品目錄頁面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | FDV302PDKR |