- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375786 > FDV304P (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Digital FET, P-Channel PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDV304P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Digital FET, P-Channel |
| 中文描述： | 460 mA, 25 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | FDV304P |
FDV304P Rev.E
1
0
0.01
0.1
1
10
100
300
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =357° C/W
T = 25°C
θ
JA
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 357 °C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
0.1
0.3
0.5
1
5
10
15
25
5
10
20
50
100
150
-VDS
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical And Thermal Characteristics
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -0.25A
15V
V = 5V
10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
35
0.01
0.02
0.05
0.1
0.5
1
2
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
RDSON LMT
DC
1s
100ms
1ms
10s
V = -2.7V
SINGLE PULSE
R = 357 °C/W
T = 25°C
GS
θ
JA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDV305N | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDW2501NZ | CAP, 10UF, 35V, -20+80% |
| FDW2501N | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2502 | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2502P | CAP CER 3.3UF 16V 20% X7R 1210 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDV304P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P DIGITAL SOT-23 |
| FDV304P_D87Z | 功能描述:MOSFET P-Ch Digital FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDV304P_NB8U003 | 功能描述:MOSFET P-Ch Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDV304P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDV305N | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。