欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FDW2502P
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: CAP CER 3.3UF 16V 20% X7R 1210
中文描述: 4400 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA
封裝: TSSOP-8
文件頁數: 4/6頁
文件大小: 451K
代理商: FDW2502P
FDW2502P Rev. C1 (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
15
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= - 4.4A
-10V
–15V
V
DS
= - 5V
0
300
600
900
1200
1500
1800
2100
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 208
T
A
= 25
o
C/W
o
C
10ms
1ms
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 208°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
=208 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料
PDF描述
FDW2502PZ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2503NZ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2503 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2503N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2504 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FDW2502P_03 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2502P_Q 功能描述:MOSFET TSSOP-8 P-CH DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDW2502PZ 功能描述:MOSFET TSSOP-8 P-CH DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDW2503 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2503N 功能描述:MOSFET TSSOP-8 N-CH DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 枣阳市| 石景山区| 无为县| 称多县| 敖汉旗| 新邵县| 康乐县| 台南县| 花莲市| 天柱县| 平顺县| 阿合奇县| 略阳县| 仁寿县| 淄博市| 深州市| 深水埗区| 阜康市| 仲巴县| 柳州市| 健康| 静海县| 奇台县| 汪清县| 余庆县| 无为县| 凌云县| 鄂温| 博客| 东山县| 临武县| 昌邑市| 鹤庆县| 泾源县| 天镇县| 左权县| 晋州市| 正安县| 芦溪县| 松桃| 武陟县|