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參數資料
| 型號： | FDZ298N |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| 中文描述： | 6 A, 20 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ULTRA THIN, BGA-9 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | FDZ298N |
FDZ298N Rev B1 (W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 6.0A
V
DS
= 5V
15V
10V
0
320
640
960
0
5
10
15
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 157
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 157°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t1, TIME (sec)
r
T
RqJA(t) = r(t) * RqJA
RqJA = 157 °C/W
TJ - TA t2
Duty Cycle, D = t1 / t2
P(pk)
t1
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ299P | LED, RT ANGLE, BLUE, SM |
| FDZ5047N | 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ7064AS | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET BGA MOSFET |
| FDZ7064N | 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ7064S | TERMINAL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDZ298N_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ298N-Q (744) DIE | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDZ298N-Q (748) DIE | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDZ298N-Q (802) DIE | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDZ299P | 功能描述:MOSFET 20V/12V PCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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