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參數(shù)資料
型號(hào): FESB8DT-E3/45
廠商: Vishay General Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大小: 133K
描述: DIODE 8A 200V 35NS SGL TO263AB
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1,000
二極管類(lèi)型: 標(biāo)準(zhǔn)
電壓 - (Vr)(最大): 200V
電流 - 平均整流 (Io): 8A
電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大): 950mV @ 8A
速度: 快速恢復(fù) =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢復(fù)時(shí)間(trr): 35ns
電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電: 10µA @ 200V
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263AB
包裝: 管件
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