- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370193 > FF100R10KN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FF100R10KN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1KV交五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 100號(hào)A一（c）|米：HL093HW048 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | FF100R10KN |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF150R10KN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF75R06KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF75R06KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF75R06KF3 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF75R06KL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL080HD5.3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FF100R12KF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF100R12KF2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF100R12KL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF100R12KS4 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF100R12MT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。