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參數資料
| 型號： | FF150R10KF2 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 150A一（c）|米：HL093HW048 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | FF150R10KF2 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF50R10KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF75R10KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF500R25KF1 | IGBT Module |
| FGA0150 | Gate Array |
| FGA0200 | Gate Array |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FF150R10KN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF150R12KE3_B8 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF150R12KE3G | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF150R12KE3G_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF150R12KE3G_B2,C-SERIE | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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