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參數(shù)資料
型號(hào): FF150R12KL
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 150A一(c)|米:HL093HW048
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 94K
代理商: FF150R12KL
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PDF描述
FF150R06KF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL080HW048
FF150R06KF2 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL080HD5.4
FF150R06KF3 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL080HD5.4
FF150R06KL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL080HW048
FF150R06KL2 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 150A I(C)
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參數(shù)描述
FF150R12KS4 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF150R12KS4_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF150R12KT3G 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF150R12ME3G 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF150R12MS4G 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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