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參數資料
| 型號： | FF200R12KL |
| 英文描述： | PHOTO MICROSENSOR |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 200安培一（c）|米：HL093HW048 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 365K |
| 代理商： | FF200R12KL |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF200R33KF2V | PHOTO MICROSENSOR |
| FF200R10KF2 | Photo Microsensor |
| FF25R06KF | PHOTO MICROSENSOR |
| FF25R06KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF25R10K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-S |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FF200R12KS4 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 295A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R12KT3_E | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R12KT4 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 320A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R12MT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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