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參數資料
| 型號： | FF400R16KF1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.6KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL124HW114 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.6KV五（巴西）國際消費電子展|四樓一（c）|米：HL124HW114 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | FF400R16KF1 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF400R17KF6CB2 | IGBT Module |
| FF401R17KF6CB2V | IGBT Module |
| FF4R12K4 | IGBT Module |
| FF4R16K4 | IGBT Module |
| FF50R12KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FF400R17KE3_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF400R17KF4C | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF400R17KF6C_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 650A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF400R17KF6CB2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
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