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參數資料
| 型號： | FF50R12KF2 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 50A條一（c）|米：HL080HD5.3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | FF50R12KF2 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF50R12KL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF50R06KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF50R06KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF50R06KF3 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF50R06KL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FF50R12KL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF50R12RT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF50U60M1PWD | 功能描述:MOSFET 600V/50a FRD/ IGBT CO PaK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FF5-21-DC-03 | 功能描述:基本/快動開關 2NC/1NO 24Vdc 0.3A Non-Contact Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點形式:SPDT 執行器:Lever 電流額定值:5 A 電壓額定值 AC:250 V 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 工作力:120 g IP 等級:IP 67 NEMA 額定值: 端接類型:Wire 安裝:Panel |
| FF5-21-DC-03-SS | 功能描述:基本/快動開關 2NC/1NO 24Vdc 0.3A Non-Contact Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點形式:SPDT 執行器:Lever 電流額定值:5 A 電壓額定值 AC:250 V 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 工作力:120 g IP 等級:IP 67 NEMA 額定值: 端接類型:Wire 安裝:Panel |
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