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參數資料
型號: FF75R10KN
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1KV交五(巴西)國際消費電子展| 75A條一(c)|米:HL093HD5.6
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代理商: FF75R10KN
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相關PDF資料
PDF描述
FF15R10K TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) | MODULE-S
FF15R12KF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 15A I(C) | M:HL080HD5.3
FF300R06KF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | MODULE-S
FF300R06KF2 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048
FF300R06KF3 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048
相關代理商/技術參數
參數描述
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FF75R12KF2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6
FF75R12KL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6
FF75R12RT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF75R12YT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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