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參數資料
型號: FFM102-L
廠商: 美麗微半導體有限公司
英文描述: Chip Silicon Rectifier Fast recovery type
中文描述: 芯片硅整流快速恢復類型
文件頁數: 2/2頁
文件大小: 71K
代理商: FFM102-L
0.1
1.0
.01
10
50
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (FFM101-L THRU FFM107-L)
FIG.1-TYPICAL FORWARD
CHARACTERISTICS
FIG.2-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT,(A)
FIG.5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
REVERSE VOLTAGE,(V)
JUNCTION CAPACITANCE,(pF)
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(A)
FORWARD VOLTAGE,(V)
Pulse Width 300us
1% Duty Cycle
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
35
30
25
20
15
10
5
0
(+)
(+)
25Vdc
(approx.)
( )
( )
PULSE
GENERATOR
(NOTE 2)
OSCILLISCOPE
(NOTE 1)
1
NON-
INDUCTIVE
W
NOTES: 1. Rise Time= 7ns max., Input Impedance= 1 megohm.22pF.
2. Rise Time= 10ns max., Source Impedance= 50 ohms.
+0.5A
0
-0.25A
-1.0A
|
|
|
|
|
|
|
|
1cm
SET TIME BASE FOR
50 / 10ns / cm
trr
.01 .05 .1 .5 1 5 10 50 100
D.U.T.
.6 .8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
3.0
AMBIENT TEMPERATURE ( C)
FIG.3- TEST CIRCUIT DIAGRAM AND REVERSE
RECOVERY TIME CHARACTERISTICS
10
NONINDUCTIVE
50
NONINDUCTIVE
W
W
Tj=25 C
FIG.4-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
PEAK FORWAARD SURGE CURRENT,(A)
10
0
20
30
40
50
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
1
10
5
50
100
Tj=25 C
8.3ms Single Half
Sine Wave
JEDEC method
Single Phase
Half Wave 60Hz
Resistive Or Inductive Load
0 20 40
60 80 100 120 140 160 180 200
0
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