- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄59979 > FGA196-638T (ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP) BGA196, IC SOCKET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FGA196-638T |
| 廠商： | ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP |
| 元件分類： | 插座 |
| 英文描述： | BGA196, IC SOCKET |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | FGA196-638T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA240-638T | BGA240, IC SOCKET |
| FGA252-638T | BGA252, IC SOCKET |
| FGA255-638T | BGA255, IC SOCKET |
| FGA292-638T | BGA292, IC SOCKET |
| FGA320-638T | BGA720, IC SOCKET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGA20N120FTD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V, 20A Trench IGBT |
| FGA20N120FTDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V N-Chan Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA20S120M | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 20A SA FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA20S125P | 功能描述:IGBT 晶體管 2.5A Output Current GateDrive Optocopler RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA20S140P | 功能描述:IGBT 晶體管 USB Port Multimedia Switch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。