欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號: FGA25N120AND
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT
中文描述: 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/9頁
文件大小: 867K
代理商: FGA25N120AND
3
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. B
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 25A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
--
2.0
3.0
V
--
2.1
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 25A
dI/dt = 200 A/
μ
s
--
235
350
ns
--
300
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Cur-
rent
--
27
40
A
--
31
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
3130
4700
nC
--
4650
--
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGA25N12ANTD 1200V NPT Trench IGBT
FGA50N60LS IGBT
FGAF40N60UFD Ultrafast IGBT
FGC4000BX-90DS HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGD3N60LSD IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FGA25N120ANDTU 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGA25N120ANTD 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT TO-3P TUBE 30 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT NPT 1200V 50A TO-3PN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT, NPT, 1200V, 50A, TO-3PN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT, NPT, 1200V, 50A, TO-3PN, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:50A, C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT,NPT,TO-3PN, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:50A, Collector Emitter Voltage Vces:2.5V, Power Dissipation Pd:312W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, Operating Temperature Range:-55C to +150C, Transistor Case , RoHS Compliant: Yes
FGA25N120ANTD_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT
FGA25N120ANTD_F109 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT
FGA25N120ANTDTU 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 天祝| 鲜城| 扎兰屯市| 北票市| 丽江市| 灵台县| 方山县| 定西市| 登封市| 五河县| 溧阳市| 杨浦区| 凤台县| 彭阳县| 长治县| 依兰县| 广灵县| 额敏县| 兴义市| 华亭县| 辽源市| 柞水县| 乐平市| 黔江区| 海伦市| 曲水县| 体育| 仁寿县| 玉屏| 丹阳市| 名山县| 雅安市| 崇左市| 上饶市| 汪清县| 沂源县| 呼图壁县| 贡嘎县| 乐平市| 禄丰县| 周至县|