欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FGA25N120ANTD
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 1200V NPT Trench IGBT
中文描述: 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: TO-3P, 3 PIN
文件頁數: 3/9頁
文件大小: 867K
代理商: FGA25N120ANTD
3
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. B
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 25A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
--
2.0
3.0
V
--
2.1
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 25A
dI/dt = 200 A/
μ
s
--
235
350
ns
--
300
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Cur-
rent
--
27
40
A
--
31
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
3130
4700
nC
--
4650
--
相關PDF資料
PDF描述
FGA25N120AND IGBT
FGA25N12ANTD 1200V NPT Trench IGBT
FGA50N60LS IGBT
FGAF40N60UFD Ultrafast IGBT
FGC4000BX-90DS HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
相關代理商/技術參數
參數描述
FGA25N120ANTD_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT
FGA25N120ANTD_F109 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT
FGA25N120ANTDTU 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGA25N120ANTDTU_F109 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGA25N120ANTDTUX 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 1.2KV 50A TO-3P(N)
主站蜘蛛池模板: 元阳县| 衡山县| 文成县| 马边| 阜新| 云浮市| 弥勒县| 平顺县| 酒泉市| 北安市| 石嘴山市| 蒲江县| 砀山县| 耒阳市| 景洪市| 武冈市| 文昌市| 广元市| 越西县| 汝州市| 桐庐县| 新宾| 周至县| 临猗县| 延边| 桐城市| 义乌市| 顺平县| 怀仁县| 嘉义县| 陕西省| 安溪县| 湖州市| 屏山县| 江源县| 上饶县| 沾化县| 洪湖市| 从化市| 常山县| 门源|