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參數資料
| 型號： | FGA25N12ANTD |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 1200V NPT Trench IGBT |
| 中文描述： | 1200伏不擴散核武器條約溝道IGBT |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 861K |
| 代理商： | FGA25N12ANTD |
7
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 18. Forward Characteristics
Figure 19. Reverse Recovery Current
Figure 20. Stored Charge
Figure 21. Reverse Recovery Time
0.1
1
10
50
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Forward Voltage , V
F
[V]
F
F
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
5
10
15
20
25
0
100
200
300
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
5
10
15
20
25
0
1000
2000
3000
4000
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
S
r
Forward Current , I
F
[A]
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PDF描述 |
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