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參數資料
| 型號： | FGA303-638T |
| 廠商： | ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP |
| 元件分類： | 插座 |
| 英文描述： | BGA303, IC SOCKET |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | FGA303-638T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGAX560-638T | BGA560, IC SOCKET |
| FGA736638T | BGA736, IC SOCKET |
| FGAX736-638T | BGA736, IC SOCKET |
| FGAX169-638G | BGA169, IC SOCKET |
| FGSWG-TTL-13G | SQUARE, 13 MHz, WAVEFORM GENERATION, PDSO5 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGA30N120FTD | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:1200V NCHANNEL IGBT - Rail/Tube |
| FGA30N120FTDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 30A FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA30N60LSD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:MOSFETs and bipolar transistors |
| FGA30N60LSDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 30A 600V N-Ch Planar RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA30N65SMD | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:650V 30A FS PLANAR GEN2 IGBT - Rail/Tube 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT 650V 60A 300W TO3P-3 |
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