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參數資料
| 型號： | FGA503-823G |
| 廠商： | ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP |
| 元件分類： | 插座 |
| 英文描述： | BGA503, IC SOCKET |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | FGA503-823G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA504-823G | BGA504, IC SOCKET |
| FGAX349-720G | BGA349, IC SOCKET |
| FGA268-720G | BGA268, IC SOCKET |
| FGA192-720G | BGA192, IC SOCKET |
| FHAX392-737G | BGA392, IC SOCKET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGA50N100BNT | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1000V, 50A NPT-Trench IGBT CO-PAK |
| FGA50N100BNTD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1000V, 50A NPT-Trench IGBT CO-PAK |
| FGA50N100BNTD2 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-ch / 50A 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA50N100BNTDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 600V 4 0A UFD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA50N100BNTTU | 功能描述:IGBT 晶體管 N-CH / 50A 1000V NPT Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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