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參數資料
| 型號： | FGL60N170D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Electrical Characteristics of IGBT |
| 中文描述： | 60 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 558K |
| 代理商： | FGL60N170D |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL60N170D Rev. B
F
Fig 14. Turn off SOA Characteristics
Fig 13. Gate Charge Characteristics
Fig 15. Transient Thermal Impedance of IGBT
Fig 16. Typical Trr vs. di/dt
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Common Emitter
R
L
= 10
, V
CC
= 600V
T
C
= 25
o
C
G
G
Gate Charge, Qg [nC]
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.1
0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
Rectangulasr Pulse Duration [sec]
0
40
80
120
160
200
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
ECF
= 60A
T
C
= 25
o
C
I
rr
t
rr
di/dt [A/
μ
s]
R
r
μ
s
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
R
r
10
20
30
40
50
60
0.0
0.4
0.8
1.2
I
rr
t
rr
di/dt = 20A/
μ
s
T
C
= 25
o
C
I
ECF
[A]
R
r
μ
s
0
2
4
6
8
10
12
14
R
r
0.1
1
10
100
0
1
2
3
T
C
= 125
o
C
Forward Voltage, V
F
[V]
F
F
Fig 17. Typical Trr vs. Forward Current
Fig 18. Typical Forward Voltage Drop vs.
Forward Current
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive
Pulse Tc = 25
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
o
C
50
μ
s
100
μ
s
1ms
DC Operation
Ic MAX (Pulsed)
Ic MAX (Continuous)
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
Zthjc + T
C
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參數描述 |
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