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參數資料
| 型號： | FHX35X |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| 中文描述： | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封裝： | DIE-4 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 155K |
| 代理商： | FHX35X |
2
FHX35X/002
FHX35LG/002
Low Noise HEMT
Fig. 1 Drain Current vs. Drain-Source Voltage
Drain-source Voltage (V)
D
0
10
20
30
40
VGS=0V
-0.2V
FHX35LG/002
FHX35X/002
-0.4V
-0.6V
-0.8V
-1.0V
1
2
3
Fig. 2 Gate-Source Capacitance
vs. Drain-Source Current
Drain-Source Current (mA)
G
0.2
0.4
0.3
0.5
10
20
30
VDS=3V
Fig. 3 Transconductance vs.
Gate-Source Voltage
Gate-Source Voltage (V)
T
Fig. 4 Gate-Source Leakage Current
vs. Gate-Source Voltage
VDS=2V
20
40
60
80
-0.2
0
0
-0.4
-0.6
-0.8
Gate-Source Voltage (V)
G
5
10
20
50
-1.0
-2.0
-3.0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FIC03272 | Microprocessor for handling signals from the TGS4161 carbon dioxide sensor |
| FID-550 | Resistive Touch Panel Specification |
| FID3Z1KX | 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight |
| FID3Z1LX | 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight |
| FID3Z2KX | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FHX35X/002 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Low Noise HEMT |
| FHX45X | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:GaAs HEMTs, Chip, Low Noise Amp, DBS LNB, 0.55dB,12GHz, Waffle5 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:GaAs HEMTs, Chip, Low Noise Amp, DBS LNB, 0.55dB,12GHz, Waffle4 |
| FHX76LP | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:GaAs HEMTs, BS/CS LNA, 0.4dB, 12GHz, Bulk |
| FHX76X | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:MicrowaveChip, Waffle4 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:MicrowaveChip, Waffle5 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:MicrowaveChip, Waffle1 |
| FHY.0B.302.CLAD35Z | 功能描述:環形推拉式連接器 ELBOW PLUG RoHS:否 制造商:Hirose Connector 產品類型:Connectors 系列:HR10 觸點類型:Socket (Female) 外殼類型:Receptacle 觸點數量:4 外殼大小:7 安裝風格:Panel 端接類型:Solder 電流額定值:2 A |
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